RX53-IR红外检测显微镜
半导体芯片检测的“透视眼”
近红外显微数码成像解决方案
专用红外显微镜+IR物镜 RX53M-IR
RX53M-IR利用近红外光对半导体材料的穿透性特点,红外显微镜作为芯片制造以及微电子器件的典型无损检测手段越来越多的受到重视。通过红外显微镜对硅片穿透可观察晶体生长过程中的位错,隐裂痕;芯片划片封装的不良状况无损分析;封装后的焊接部分检查;可直接穿透厚度不超过600μm的硅片,观察IC芯片内部,观察内部线路断裂,崩边,崩裂,溢出等;也应用于包括产品晶圆生产内部缺陷检查,短断路检查(烧蚀标记、压力指标等)、键合对准(薄键合电路)、失效分析和来料测试。
我们提供全套数字近红外系统

RX53M-IR系列红外显微镜配置IR专用物镜可用于专业近红外成像和观察,也可进一步对图像分析和测量。我们的UIS2系列专用红外线(IR)物镜为近红外线数码成像推出专业交钥匙实验室解决方案。最新一代的UIS2专用近红外线物镜可增加近红外光谱的透射率,提供特定硅片厚度所需的校正环(20x、50x和100x物镜),最大程度提高透射率和性能。
我们的全套数字近红外解决方案非常适合于硅片高质量成像和检查,其中包括:
可同时进行反射光和透射光的红外观测
- UIS2-IR物镜,高倍有针对硅片厚度矫正环
- 专用红外偏光镜可消除光晕、提高成像衬度
- U-BP1100IR和U-BP1200IR带通滤光镜,最适合于硅衬底的CSP观察
- 专用红外摄像头
IR435M sCMOS近红外相机 高动态范围/高灵敏度 4百万像素USB3.0摄像头 ,光谱400~1100nm响应
IMX990 VSWIR sensor SONY InGaAs 芯片 摄像头 光谱400~1700nm响应
我们的近红外系统能够穿透硅片下方获取高质量图像,执行精确测量,创建可靠的报告,并保存图像,这些都不会损坏成品。参考以下案例:
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Vcsel芯片隐裂(cracks) |
Vcsel芯片隐裂(cracks) |
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CMOS器件红外微观检查10X |
CMOS器件红外微观检查20X |
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半导体芯片检查:a)明场图像5X;b)红外成像5X |
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硅基半导体Wafer、碲化镉CdTe、碲镐汞HgCdTe衬底无损红外检测 |
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太阳能电池组件综合缺陷红外检测 |
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红外显微镜在---Vcsel行业的应用 |
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die chip 失效分析 |