LU200N-IR近红外显微镜/SWIR短波红外显微镜/半导体晶圆近红外显微镜

LU200N-IR正置红外显微镜
近红外一般定义为700-2000nm波长范围内的光线，对于红外摄像头而言硅基传感器的上限约为1100nm，铟镓砷（InGaAs）传感器大约1800nm左右，都是目前在近红外显微观察中使用的主要传感器，可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时，水蒸气、硅、部分化合物、部分蓝膜等特定材料均为透明，因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。

诺旭微光电自主研发的无损红外透视显微技术，广泛应用于半导体（Semiconductor）领域公司、平板显示（FPD）公司、科研单位、高校及第三方实验室、军工企业。

 

该红外显微镜技术方案得益于精密光学设计、纳米级加工的集成式光学系统，可用于常规金相显微镜（2寸-12寸）、常规工具显微镜、常规影像测量仪、超景深显微镜、大型龙门工业显微镜<最大2米>。技术方案可采用结构光、近红外波段、中远红外波段穿透芯片、显示面板表层封装的非金属化合物，对客户产品进行无损检查。其微米/纳米级物体内部无损检测技术在VECSEL器件、薄膜型黏晶材料穿透、全复消色差红外检测、可见光/红外对位检测等相关应用。

 

LU200N-IR系列红外显微镜——VECSEL芯片无损红外透视显微解决方案

 

第二代半导体（硅基）

20世纪90年代以来，随着移动通信的快速发展，以光纤通信和互联网为基础的信息高速公路的兴起，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料开始涌现。

 

垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser)，LU200N-IR系列近红外显微镜多年来服务于技术量产VECSEL芯片企业的研发、品检、生产中，提供了高性价比的VECSEL全设计波段无损检测解决方案。

 

LU200N-IR系列红外显微镜——VECSEL芯片无损红外透视显微解决方案

第二代半导体（硅基）

20世纪90年代以来，随着移动通信的快速发展，以光纤通信和互联网为基础的信息高速公路的兴起，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料开始涌现。

国内某消费电子代工厂，VCSEL无损穿透案例：

 

国内前三半导体电光器件、模块及系统的研发，销售和产业化公司，VCSEL无损穿透案例：

 

 

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，简称VCSEL，又译垂直共振腔面射型激光）是一种半导体，其激光垂直于顶面射出，与一般用切开的独立芯片制程，激光由边缘射出的边射型激光有所不同。常规的金相显微镜无法观测VECSEL产品，以下为近红外显微镜LU200N-IR拍摄的图片

 

 

第二代半导体（化合物半导体）图片

LU200N-IR已交付近多家客户用于砷化镓GaAs、磷化铟InP检测分析。以下为LU200N-IR近红外显微镜拍摄效果图片。

 

封装芯片,晶圆级CSP/SIP的非破坏检查,倒装芯片封装的不良状况无损分析,透过硅观察IC芯片内部

IR近红外线显微镜,可以对SiP（System in Package）,三维组装,CSP（Chip Size Package）等用可视观察无法看到的领域进行无损检查和分析

LU200N-IR正置红外显微镜,专用红外硅片检测显微镜,硅衬底的CSP观察

Vcsel芯片隐裂（cracks),InGaAs瑕疵红外无损检测,LED LD芯片出光面积测量,Chipping(chip crack)失效分析,封装芯片的内部缺陷，焊点检查,

键合片bumping,FlipChip正反面键合定位标记重合误差无损测量,可以定制开发软件模块快速自动测量重合误差,硅基半导体Wafer,碲化镉CdTe ,碲镉汞HgCdTe等化合物衬底无损红外检测,太阳能电池组件综合缺陷红外检测,LCD RGB像元面积测量

 

LU200N-IR红外显微镜可用于透过硅材料成像,倒装芯片封装的不良状况无损分析,通过红外显微镜对硅片穿透可观察晶体生长过程中的位错,隐裂痕,芯片划片封装的不良状况无损分析,封装后的焊接部分检查,可直接穿透厚度不超过600μm的硅片,观察IC芯片内部,观察内部线路断裂,崩边,崩裂,溢出等,也应用于包括产品晶圆生产内部缺陷检查,短断路检查,键合对准（薄键合电路）。