MX68-IR近红外显微镜

     利用近红外光对半导体材料的穿透性特点，红外显微镜作为芯片制造以及微电子器件的典型无损检测手段越来越多的受到重视。通过红外显微镜对硅片穿透可观察晶体生长过程中的位错，隐裂痕；芯片划片封装的不良状况无损分析；封装后的焊接部分检查；可直接穿透厚度不超过600μm的硅片，观察IC芯片内部，观察内部线路断裂，崩边，崩裂，溢出等；也应用于包括产品晶圆生产内部缺陷检查，短断路检查（烧蚀标记、压力指标等）、键合对准（薄键合电路）、失效分析和来料测试。

     MX68-IR近红外一般定义为700-2000nm波长范围内的光线，对于红外摄像头而言硅基传感器的上限约为1100nm，铟镓砷（InGaAs）传感器大约1800nm左右，都是目前在近红外显微观察中使用的主要传感器，可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时，水蒸气、硅、部分化合物、部分蓝膜等特定材料均为透明，因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。

MX68-IR近红外显微镜案例应用：

-Vcsel芯片隐裂(cracks)、InGaAs瑕疵红外无损检测
-法拉第光隔离器,Faraday lsolator近红外无损检测
-die chip 失效分析
-红外透射Wafer正反面定位标记重合误差无损测量
-硅基半导体Wafer、碲化镉CdTe、碲镐汞HgCdTe衬底无损红外检测
-太阳能电池组件综合缺陷红外检测

Vcsel芯片隐裂(cracks)	Vcsel芯片隐裂(cracks)
CMOS器件红外微观检查10X	CMOS器件红外微观检查20X
die chip 失效分析
硅基半导体Wafer、碲化镉CdTe、碲镐汞HgCdTe衬底无损红外检测
太阳能电池组件综合缺陷红外检测
红外显微镜在---Vcsel行业的应用